全球6大闪存芯片厂
1 三星电子(Samsung)
由于服务器需求回温以及不同应用端采用高容量产品呈明显成长，加上移动设备客户转单效应，三星第二季位元销售成长约30%。随着需求表现转趋正面，平均销售单价跌幅收敛至15%的水平，第二季营收达37.66亿美元，较第一季成长16.6%。
从产能分析，今年以来三星的产能规划无太大改变，在产能缩减部分皆以Line12的平面制程为主，以反映客户需求持续转进V-NAND，缩减后的空间则用于R&；D，至于3D NAND的部分，在无刻意或人为减产情况下，整体投片规模与第一季相当。
2 SK海力士(SK Hynix)
SK海力士的营运表现依然与移动设备市场销售状况高度连动，受惠于价格弹性引领平均搭载容量迅速成长，以及部分中国客户转单，第二季位元出货成长达到40%，但由于平均售价仍有25%的显著跌幅，本季SK海力士NAND Flash营收为11.06亿美元，季成长8.1%。
以产能规划而言，SK海力士宣布整体NAND Wafer投片量将较前一年减少15%，主要在于平面制程的缩减，因应需求转向较低成本的3D NAND。新厂M15的产能扩增仍按先前规划，整体3D NAND的投片量会缓慢增长，并以TLC架构为主，今年内SK海力士仍无量产QLC产品的打算。
3 东芝记忆体(Toshiba)
第二季在移动设备市场备货较为积极下，东芝的出货表现有所复苏，其位元出货成长率为0-5%，但受到第二季合约价进一步走跌的影响，平均销售单价跌幅近15%，营收较上季衰退10.6%，为19.48亿美元。
从产能方面观察，四日市厂区受到停电事件冲击影响显著，尽管产线已大致于七月中旬以前恢复，对整体市场供给影响仍大，约占全体年产出的3%。
4 西数(Western Digital)
由于西数决定在上半年进行减产，其第二季位元出货量的预期成长率本就较其他供应商低，加上五月中受华为事件影响，中止出货期间达一个月，以至于华为已将订单配给予其他供应商，导致位元出货量季衰退1%，但产出减少也有效地抑制平均销售价格衰退幅度仅有6%，整体营收为15.06亿美元，较上季衰退6.5%。
从产能规划来看，受到四日市厂区跳电事故的影响，西数产能损失幅度约为6 ExaBytes，截至七月底前产线已大致恢复。此外，西数已经与东芝取得参与岩手县K1 Fab的投资共识，也使得未来的产能扩张获得保证。
5 美光(Micron)
受到第二季价格进一步下跌以及华为事件的冲击，美光位元出货衰退约5%，平均销售单价跌幅则约落在季跌幅15%，其NAND Flash营收来到14.61亿美元，较第一季下跌17.7%。
在产能方面，美光第一季以宣布较先前生产计划减少5%，第二季更进一步扩大至10%，3D NAND的产出比重仍将维持90%以上。
6 英特尔(Intel)
英特尔今年第一季因财务表现不佳影响，暂停后续在大连厂的扩产规划，目前在出货比重上仍以64层产品为主力，除逐步推进客户使用96层产品外，亦积极导向采用高容量产品，SSD产品位元销售有效地反映价格弹性，第二季位元销售成长超过20%，而平均销售单价则有近15%的跌幅，营收来到9.4亿美元，较第一季成长2.7%。
在产能与制程方面，英特尔大连厂将维持第一季底停止扩产的计划直至年底，并依客户导入进程逐步转往96层产品。
